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F300-EPI GaN

GaN外延片AOI设备采用了自研光学镜头,并且集成了自动聚焦功能,可以对翘曲的外延片直接扫描清晰成像,具有检出率高、误检率低的特点,使用20X点测功能可以采集到更高解析度的缺陷图像(0.1-02μm);荧光激发AOI检测可以检测长晶层的发光缺陷。

l 适用于蓝宝石基,Si基和SiC基GaN EPI外延片

l 具备AOI、紫外荧光(选配)、缺陷review、 OCR等功能

l 兼容4 inch和6 inch晶圆或者8inch晶圆(采用EFEM)

l 自研光学镜头: FOV ~15.6mm

l 缺陷检测空间分辨率:1.3μm x 1.3μm

l Review复查分辨率: 0.19μm x 0.19μm

l 缺陷检出率 ≥ 98% 

l 缺陷误检率 ≤ 2%

l 缺陷重复性 > 95%

l 镭刻码OCR识别率 ≥ 99.9%(选配)

l 4 inch缺陷产能 ≥130片/小时

l 6 inch缺陷产能 ≥ 80片/小时

l 具备6个分规料盒(Cassette)

l 具备非接触Aligner功能

l 具备自动聚焦功能,可以适应翘曲wafer

l 具备定点自动Review并且采图功能

l 深度学习识别缺陷类别(准确率>98%):亮点、颗粒、圆圈、雾边、刮伤、脏污、微粗等缺陷

l 支持SEMI自动化标准SECS/GEM通讯接口


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